民间土办法提纯银工艺(自己在家熔化银)

关于怎么自己在家熔化银的一些方法，关于怎样民间土办法提纯银工艺介绍，凸点的熔点的温度下自己在家进行回流的情况下，可以保持接合的可靠性。如上所述，在半导体器件具有高熔点的无铅凸点的情况下将其安装到基板上，可以获得具有不包含的凸块结构的半导体器件，该半导体器件也具有与常规半导体器件相同的可靠性水平。接下来在下面描述每个示例。

基本结构适用于多芯片模块半导体模块。符合半导体高集成度设计的要求，半导体的小尺寸设计在装置以及高密度安装方面，开发了一种多芯片模块，其上安装了诸如存储器，和之类的各种半导体，或者其中封装了这些各种半导体的多芯片封装。其一个示例在图中示出。参照图其中上述焊接结构用于多芯片模块中。

参照图在中间基板上安装有称为晶片提纯银工艺封装或晶片级的多个封装，其中每个封装在硅芯片上提供布线，并且在每个封装中形成废银料凸点。设置在芯片上的焊盘。形成在中间基板上的每个凸块的直径是，其间距是，位于中间基板上方的的每个凸块的直径是。其间距为。在位于中间基板上方的中，在安装之后。

在凸块的结合部分处形成底部填充物。电极和形成在中间基板的每一侧上。在多芯片模块中，凸块成为半导体器件的外部焊盘，凸块成为外部连接端子，这也适用于以下描述的实施例。在图图示意性地示出了在中间基板上的安装。在这种情况下，将焊膏印刷在中间基板上，然后将中间基板和两者定位并使其彼此邻接。

并且自己在家进行回流加热以将它们彼此结合。民间关于使用的废银料由合金制成，并且印刷在中间基板上的焊膏由合金制成。即选择这些合金成分以使得废银料的熔点可以变得高于废银料膏的熔点。设置在中间基板上的凸块由与相同的合金制成。用于安装的焊膏的一部分。图是该多芯片模块结合到安装基板的截面图，其中在安装了多芯片模块之后，在的每个凸块部分中，每个凸块部分形成在中间基板的侧面上。

没有均匀的成分，但具有原始废银料成分的一部分和由这是凸块的成分和的混合物形成的混合物层这是用于安装的废银料的成分。通常在合金的废银料中，当金属中所含的含量增加时，会出现称为晶须的金属针状晶体并到达相邻的凸点。废银料的含量不少于质量，会引起短路故障。因此在本回收提纯银工艺的实施例中，为了防止由于晶须引起的短路，民间关于在上形成的凸块使用不含的合金的废银料。

附带地凸块由废银料制成，但是在回流加热之后形成的每个所得凸块中形成的混合物层中所含的的含量小于质量，因此不会出现晶须引起的问题。民间关于用于凸块的废银料的组成，即使在使用包含质量的的情况下也没有问题。在这种情况下，上述合金与该的熔点差仅为由于在安装在中间基板上的半导体器件中，使用的节距设计比安装在形成有电极的安装基板上的多芯片模块的节距设计更窄，因此使用废银料考虑到防止由于晶须的出现而在端子之间发生短路。

在将的含量降低的情况下，在自己在家进行中间基板上的安装时，是优选的。对于足够高的耐热性，民间关于和的凸点以及民间关于焊膏，可以使用含有低含量的的废银料，而对于安装基板，可以使用熔点低的所谓标准组成的其他废银料。比以前的焊锡要高一点。

当然不用说，在将多芯片模块安装到安装基板上时，可以应用本回收提纯银工艺的上述结构。接下来下面描述其中上述示例的示例。当将多芯片模块安装到电路基板上时，使用上述的焊接结构。图示意性地示出了通过使用熔点低于凸块的熔点的废银料例如，废银料将具有凸块的多芯片模块安装到基板上之前的状态。民间关于半导体装置的凸块和多芯片模块的凸块这两者。

在使用合金或合金的同时，使用图所示的结构。图示出了在安装到基板上之后产生的连接结构的截面形状。在安装后的多芯片模块的连接结构中，形成具有与原始凸块相同的组成的部分和由凸块和用于安装的废银料的混合物制成的混合物层。在多芯片模块中，在将要安装在中间基板上的半导体器件的废银料键合与多芯片的外部连接端子即焊球之间需要温度分层键合的情况。芯片模块。这样做是为了保持高可靠性的键合，而在将多芯片模块焊接到电路基板上时。

不会导致已经在多芯片模块中形成的废银料键合在半导体器件和中间基板之间重新熔化。根据体现本回收提纯银工艺的上述结构，民间关于半导体器件的凸块和多芯片模块的凸块，可以选择在回流温度下基本上不熔化的成分，在该回流温度下，用于废银料的废银料被熔化。通过熔化安装件以自己在家进行键合，从而可以在不执行温度分层键合的情况下在多芯片模块中实现高可靠性的键合。在这种情况下，通过废银料的熔化。

多芯片模块的每个凸块的一部分在与熔化的废银料接触的部分处熔化，从而形成混合层。当然在需要进一步限制在多芯片模块内发生的重熔的情况下，可以选择用于半导体器件的凸块的废银料，其熔点高于用于多芯片模块的凸块的焊接材料的材料。在这些情况中的任何一种情况下，期望中间基板具有比安装基板更高的耐热性。顺便提及，是具有硅芯片的封装。

硅芯片设置有布线和凸块。工厂高价回收废银料。